Infineon IPB22N03S4L15ATMA1

Name: Infineon IPB22N03S4L15ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB22N03S4L15ATMA1

30V, N-Ch, 14.6 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IPB22N03S4L15ATMA1	36,836					1.430	1.190	1.060	3h
Verical	3	IPB22N03S4L15ATMA1	17,000	210					1.488	1.325
Win Source	2	WS-IPB22N03S4L-15	20	11				3.110	3.110	3.110	3h
Worldway Electronics		IPB22N03S4L15ATMA1	9,149	7	Tape & Reel		0.336	0.325	0.308	0.308	4h
Fmall Co., Limited	2	IPB22N03S4L15ATMA1	38,010			0.908	0.908	0.849	0.800	0.732	>1wk

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IHS

Datasheet9 페이지19년 전

iiiC

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-02-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2023-03-31

LTD Date2023-09-30

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPB22N03S4L15ATMA1에 대한 설명입니다.

30V, N-Ch, 14.6 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green product (RoHS compliant); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 30V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T2 30V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control.; Thus OptiMOS-T2 30V products based on Infineons advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.

Infineon