Infineon IPB032N10N5ATMA1

Name: Infineon IPB032N10N5ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB032N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 / N-Channel 100 V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

$ 1.88

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPB032N10N5ATMA1	301	1	Cut Tape	5.330	3.770	2.880	2.730	2.730
Arrow Electronics		IPB032N10N5ATMA1	910	1		2.343	2.343	2.343	2.343	2.343
Rochester Electronics		IPB032N10N5ATMA1	656					1.640	1.470	1.380	6h
DigiKey	3	IPB032N10N5ATMA1CT-ND	1,703	1	Cut Tape	4.930	3.261	2.312	2.008	2.008
Avnet		IPB032N10N5ATMA1	0	1K					1.875	1.683	1d

재고 내역

3개월 추세: -0.43%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IPB032N10N5ATMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet11 페이지0년 전

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-0.43%

Powered by

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IPB032N10N5ATMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-12-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPB032N10N5ATMA1에 대한 설명입니다.

MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 / N-Channel 100 V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Win Source

OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK 7pin package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications, PG-TO263-7, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 166A I(D), 100V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPB032N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

Infineon