Infineon IPA60R170CFD7XKSA1

Name: Infineon IPA60R170CFD7XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPA60R170CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 8A TO220 / N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

$ 1.188

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPA60R170CFD7XKSA1	280	1		3.520	1.990	1.840	1.630	1.630
Arrow Electronics		IPA60R170CFD7XKSA1	499	1		1.460	1.460	1.460	1.460	1.460
Rochester Electronics		IPA60R170CFD7XKSA1	5,000					1.400	1.160	1.040	3h
DigiKey		IPA60R170CFD7XKSA1-ND	119	1	Tube	3.500	3.500	1.580	1.188	1.029
Future Electronics	2	IPA60R170CFD7XKSA1	0	20	Tube			1.240	1.210	1.180

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IHS

Datasheet14 페이지0년 전

Farnell

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공급망

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-08-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPA60R170CFD7XKSA1에 대한 설명입니다.

MOSFET N-CH 650V 8A TO220 / N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Win Source

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Mosfet, N-Ch, 600V, 8A, To-220Fp; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.144Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPA60R170CFD7XKSA1

Newark

The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

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