Infineon IKW15N120T2FKSA1

Name: Infineon IKW15N120T2FKSA1
Brand: Infineon
SKU: IKW15N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 2.253

NRND

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Newark		IKW15N120T2FKSA1	38	1	7.200	6.550	5.520	4.700	4.700
Rochester Electronics		IKW15N120T2FKSA1	239				2.050	1.840	1.730	9h
Arrow Electronics	3	IKW15N120T2FKSA1	224	1	5.314	5.261	2.689	2.689	2.689
Avnet		IKW15N120T2FKSA1	0	240				2.156	2.048	11h
Farnell		IKW15N120T2FKSA1	298	1	6.874*	3.968*	2.919*	2.475*	2.475*	9h

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IHS

Datasheet15 페이지9년 전

Farnell

_legacy Avnet

iiiC

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공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-11-21

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IKW15N120T2FKSA1에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

1200 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS

Infineon SCT

IGBT+ DIODE,1200V,15A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Power Dissipation Pd:235W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; Power Dissipation Max:235W

element14 APAC

Hard-switching 1200 V, 15 A TRENCHSTOP™ 2 IGBT co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package provides significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

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