Infineon IKP15N60TXKSA1

Name: Infineon IKP15N60TXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IKP15N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 0.859

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	IKP15N60TXKSA1	346	1		0.915	0.915	0.915	0.915	0.915
Avnet	IKP15N60TXKSA1	0	1K							4d
Farnell	IKP15N60TXKSA1	0	1		2.717*	1.879*	1.348*	0.917*	0.892*	11h
Mouser	726-IKP15N60T	2	1	Tube	2.320	1.600	1.150	0.803	0.761
Verical	IKP15N60TXKSA1	346	2			0.915	0.915	0.915	0.915

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IHS

Datasheet13 페이지10년 전

element14 APAC

Farnell

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공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-11-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-03-15

LTD Date2026-09-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IKP15N60TXKSA1에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Infineon IKP15N60TXKSA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

TodayComponents

IGBT, General Purpose, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins

EBV Elektronik

Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT, N, 600V, 15A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:15A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:130W; Power Dissipation Pd:130W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC

Hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

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