Infineon IHW30N120R2

Name: Infineon IHW30N120R2
Brand: Infineon
SKU: IHW30N120R2

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD

$ 1.77

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IHW30N120R2	10					1.980	1.770	1.660	22h
Farnell	IHW30N120R2	0	1		6.580*	6.580*	4.104*	3.297*	3.297*	22h
Component Stockers USA	IHW30N120R2	11			2.270	2.270	2.270	2.270	2.270	>1wk
Win Source	WS-IHW30N120R2	20	16				2.957	2.563	2.563	23h
Worldway Electronics	IHW30N120R2	7,051	7	Tube		1.701	1.669	1.605	1.573	23h

재고 내역

3개월 추세: +0.00%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IHW30N120R2에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet12 페이지16년 전

_legacy Avnet

Farnell

iiiC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+0.00%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IHW30N120R2 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-05-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2015-03-15

LTD Date2015-09-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IHW30N120R2에 대한 설명입니다.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD

IHS

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin TO-247 Tube

Avnet

IGBT 1200V 60A 390W TO247-3

DigiKey

REVERSE CONDUCTING IGBT

DigiKey Marketplace

new, original packaged

ACDS

IGBT+ DIODE,1200V,30A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:390W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:390W

element14 APAC