Infineon IGB50N60TATMA1

Name: Infineon IGB50N60TATMA1
Brand: Infineon
SKU: IGB50N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

$ 2.002

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IGB50N60TATMA1	70	1	Cut Tape	4.420	2.940	2.150	1.860	1.860
Arrow Electronics		IGB50N60TATMA1	970	1		4.312	4.312	4.312	4.312	4.312
DigiKey	3	IGB50N60TATMA1CT-ND	2,591	1	Cut Tape	5.260	3.491	2.487	2.219	2.219
Future Electronics		IGB50N60TATMA1	0	1K	Tape & Reel				2.630	2.590
Avnet		IGB50N60TATMA1	0	1K					1.934	1.847	8h

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IHS

Datasheet12 페이지10년 전

Upverter

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공급망

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-12-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IGB50N60TATMA1에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

IHS

Infineon IGB50N60TATMA1 IGBT, 90 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3

TodayComponents

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Future Electronics

IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2

Vigor Components

100 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-263AB

Component Stockers USA

333W 1.5V 600V 90A TO-263 , 10.25mm*9.9mm*4.4mm

UnikeyIC

IGB50N60T - DISCRETE IGBT WITHOU

DigiKey Marketplace

IGBT,600V,50A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Max:333W

element14 APAC

Hard-switching 600 V, 50 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

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