Infineon IGB30N60H3ATMA1

Name: Infineon IGB30N60H3ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IGB30N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

$ 1.03

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	49AC0265	10	1		3.010	1.950	1.340	1.110	1.110	2d
Newark		IGB30N60H3ATMA1	10	1	Cut Tape	0.461	0.461	0.461	0.461	0.461
Arrow Electronics		IGB30N60H3ATMA1	370	1		1.334	1.334	1.334	1.334	1.334
DigiKey	3	IGB30N60H3ATMA1CT-ND	3,414	1	Cut Tape	3.090	2.004	1.383	1.117	1.117
Farnell	3	IGB30N60H3ATMA1	5,799	1	Cut Tape	3.042*	1.969*	1.616*	1.035*	1.035*	19h

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Datasheet14 페이지15년 전

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공급망

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-08-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IGB30N60H3ATMA1에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Infineon IGB30N60H3ATMA1 IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3, Through Hole

TodayComponents

IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins

Avnet

600 V HIGH SPEED IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

High speed 600 V, 30 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

Infineon

IGBT, SINGLE, 600V, 60A, TO-263; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins

element14 APAC

Igbt, 600V, 60A, 175Deg C, 187W; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.95V; Power Dissipation:187W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1

Newark