Infineon IDB30E120ATMA1

Name: Infineon IDB30E120ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IDB30E120ATMA1

DIODE, 1200V, 50A, TO263-3; Diode Type: Standard Recovery; Diode Configuration: Si

$ 0.666

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IDB30E120ATMA1	49	1		2.400	1.538	1.538	1.538	1.538
Rochester Electronics		IDB30E120ATMA1	160					0.802	0.666	0.594	4h
DigiKey	3	IDB30E120ATMA1CT-ND	2,957	1	Cut Tape	2.350	1.506	1.022	0.815	0.815
Future Electronics		IDB30E120ATMA1	0	1K	Tape & Reel				0.595	0.575
Avnet		IDB30E120ATMA1	0	1K					0.596	0.569	1d

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IHS

Datasheet8 페이지21년 전

Upverter

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공급망

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80

Introduction Date2001-01-24

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IDB30E120ATMA1에 대한 설명입니다.

DIODE, 1200V, 50A, TO263-3; Diode Type:Standard Recovery; Diode Configuration:Si

Newark

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB

Semicontronic

The 1200V family displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a T j(max) of 150°C, PG-TO263-3, RoHS

Infineon SCT

Ultra-soft 1200 V, 30 A emitter controlled silicon power diode in a D2PAK TO-263 package is qualified with a T j(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21.

Infineon

DIODE, 1200V, 50A, TO263-3; Diode Type:Standard Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1200V; Forward Current If(AV):50A; Forward Voltage VF Max:2.15V; Reverse Recovery Time trr Max:243ns; Forward Surge Current Ifsm Max:102A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Diode Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Farnell