Infineon FP75R12KT4B11BOSA1

Name: Infineon FP75R12KT4B11BOSA1
Brand: Infineon
SKU: FP75R12KT4B11BOSA1

IGBT-MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

$ 78.108

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Rochester Electronics	FP75R12KT4B11BOSA1	13					78.120	69.900	65.780	11h
DigiKey	FP75R12KT4B11BOSA1-ND	39	1	Tray	117.31	92.071	78.108	78.108	78.108
Arrow Electronics	FP75R12KT4B11BOSA1	10	1		134.20	134.20	134.20	134.20	134.20
Avnet	FP75R12KT4B11BOSA1	0	10			89.266	80.111	78.108	78.108	13h
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Infineon

Datasheet1 페이지11년 전

IHS

Farnell

Newark

TME

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공급망

Country of OriginHungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-11-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon FP75R12KT4B11BOSA1에 대한 설명입니다.

IGBT-MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

ComSIT Distribution GmbH

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:385W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor

element14 APAC

Igbt Module; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:75A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:385W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.2Kv; Núm. De Contactos:35 |Infineon FP75R12KT4_B11

Newark

EconoPIM™ 3 1200 V, 75 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode, NTC and PressFIT Contact Technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Also available as variation with Soldering connection technology: FP75R12KT4

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