Infineon FP40R12KE3BOSA1

Name: Infineon FP40R12KE3BOSA1
Brand: Infineon
SKU: FP40R12KE3BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210000mW Automotive 24-Pin ECONO2-5 Tray

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	FP40R12KE3BOSA1	0	10							6d
Farnell	FP40R12KE3BOSA1	0	1		127.27*	110.86*	110.86*	110.86*	110.86*	14h
Microchip USA	FP40R12KE3BOSA1	269	20	Tray			116.93	116.93	116.93	6h
ATI ACCURATE TECHNOLOGY	FP40R12KE3-INFINEON	6			160.00	136.00	136.00	136.00	136.00	5h
Component Stockers USA	FP40R12KE3BOSA1	5			110.89	110.89	110.89	110.89	110.89	>1wk

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Datasheet1 페이지14년 전

IHS

Farnell

element14 APAC

iiiC

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공급망

Country of OriginHungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-04-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon FP40R12KE3BOSA1에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210000mW Automotive 24-Pin ECONO2-5 Tray

Verical

IGBT MODULE, 1200V, ECONOPIM; Module Configuration:Seven; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:55A; Collector Emitter Voltage Vces:2.3V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Transistor Case Style:EconoPIM; No. of Pins:24; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:55A; Forward Current If(AV):40A; Forward Surge Current Ifsm Max:315A; Package / Case:Econopim; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Ptot Max:200W; Pulsed Current Icm:80A; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1600V; Termination Type:Solder; Voltage Vces:1.2kV

element14 APAC

EconoPIM 2 1200V three phase PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC | Summary of Features: Low stray inductance module design; High reliability and power density; Copper base plate for optimized heat spread; Solderable pins; Low switching losses; High switching frequency; RoHS-compliant modules | Benefits: Compact module concept; Optimized customers development cycle time and cost; Configuration flexibility | Target Applications: drives; medical; induction; aircon

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