Infineon FF600R12KE4BOSA1

Name: Infineon FF600R12KE4BOSA1
Brand: Infineon
SKU: FF600R12KE4BOSA1

1200 V 600 A 38 nF Chassis Mount Trench Field Stop Half Bridge IGBT Module

$ 156.48

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	FF600R12KE4BOSA1	6	1		190.41	190.41	190.41	190.41	190.41
Rochester Electronics	FF600R12KE4BOSA1	8			131.03	131.03	123.17	115.31	115.31	43m
DigiKey	448-FF600R12KE4BOSA1-ND	59	1	Tray	160.69	136.92	136.92	136.92	136.92
Newark	FF600R12KE4BOSA1	0	1		184.77	184.77	184.77	184.77	184.77
Future Electronics	FF600R12KE4BOSA1	0	30	Tray			178.91	178.91	178.91

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공급망

Country of OriginHungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-06-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon FF600R12KE4BOSA1에 대한 설명입니다.

1200 V 600 A 38 nF Chassis Mount Trench Field Stop Half Bridge IGBT Module

Future Electronics

IGBT MODULE, N-CH, 1.2KV, 600A; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.75V; Power Dissipation Pd: -; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor C

Farnell

Igbt Mod, N-Ch, 1.2Kv, 600A, 150Deg C; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.75V; Power Dissipation:-; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Tab; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FF600R12KE4BOSA1

Newark

Our well-known 62 mm 1200V dual IGBT modules with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode are the right choice for your design. | Summary of Features: 600A / 1200V; T vj op = 150C; RoHS compliant; 4 kV AC 1 min Insulation; Package with CTI > 400; High Creepage and Clearance Distances; UL/CSA Certification with UL1557 E83336 | Benefits: Existing packages with higher current capability, allows to increase inverter output power with same frame size; Highest power density; Flexibility; Optimal electrical performance; Highest reliability | Target Applications: drives; solar; ups

Infineon