Infineon F3L200R12W2H3B11BPSA1

Name: Infineon F3L200R12W2H3B11BPSA1
Brand: Infineon
SKU: F3L200R12W2H3B11BPSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray

$ 51.58

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	F3L200R12W2H3B11BPSA1	2					49.980	44.720	42.090	18h
DigiKey	F3L200R12W2H3B11BPSA1-ND	15	1	Tray	81.050	81.050	59.957	51.580	51.580
Avnet	F3L200R12W2H3B11BPSA1	0	15				52.614	49.984	49.984	20h
Arrow Electronics	F3L200R12W2H3B11BPSA1	0	15				53.350	51.760	50.220
Farnell	F3L200R12W2H3B11BPSA1	5	1		80.540*	76.518*	76.518*	76.518*	76.518*	4h

재고 내역

3개월 추세: -24.53%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon F3L200R12W2H3B11BPSA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Infineon

Datasheet1 페이지11년 전

IHS

Newark

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-24.53%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon F3L200R12W2H3B11BPSA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-12-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon F3L200R12W2H3B11BPSA1에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray

Verical

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 100A; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 600W; Collector Em; Available until stocks are exhausted

Farnell

Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 100A; Continuous Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:600W; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Press Fit; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Infineon F3L200R12W2H3B11BPSA1

Newark

EasyPACK 2B 1200V 3-level phase leg IGBT module with High Speed IGBT H3, NTC, active "Neutral Point Clamp 2" and PressFIT Contact Technology | Summary of Features: Low inductive design; Low Switching Losses; Low V CEsat; Al 2O 3 Substrate with Low Thermal Resistance; Compact design; PressFIT Contact Technology; Rugged mounting due to integrated mounting clamps | Benefits: Compact module concept; Optimized customers development cycle time and cost; Configuration flexibility | Target Applications: drives; solar; ups

Infineon