Infineon BSZ100N03LSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
$ 0.177
Obsolete

가격 및 재고

데이터시트 및 문서

Infineon BSZ100N03LSGATMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet9 페이지15년 전

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:
-15.08%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon BSZ100N03LSGATMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스이캐드엠캐드파일
EE Concierge
심벌풋프린트
캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.
Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

관련 부품

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
InfineonBSC100N03LSG
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
Single N-Channel 30 V 9 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
onsemiFDS6670AS
N-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS8876
N-Channel 30 V 8.2 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSZ100N03LSGATMA1에 대한 설명입니다.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Trans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS OptiMOS 3, Vds=30 V, 40 A, TSDSON, , 8
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

제조업체 별칭

Infineon에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Infineon는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • BSZ100N03LS G
  • BSZ100N03LSG
  • BSZ100N03LSGATMA1.
  • SP000304135