Infineon BSC060N10NS3GATMA1

Name: Infineon BSC060N10NS3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC060N10NS3GATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

$ 0.986

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	79X1333	6,988	1		2.770	1.780	1.290	1.160	1.160	4h
Newark	2	BSC060N10NS3GATMA1	6,988	1	Cut Tape	1.160	1.160	1.160	1.160	1.160
Future Electronics	2	BSC060N10NS3GATMA1	10,000	5K	Tape & Reel					0.765
Rochester Electronics		BSC060N10NS3GATMA1	77,301					1.020	0.847	0.755	1h
Arrow Electronics	2	BSC060N10NS3GATMA1	20,486	1		1.779	1.272	1.062	0.885	0.797

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공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-10-20

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSC060N10NS3GATMA1에 대한 설명입니다.

MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

Newark

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 105 A, 6 mOhm, TDSON, 8 Pins, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Win Source

Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, N CH, 100V, 90A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V;

element14 APAC

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon