Infineon BSC036NE7NS3GATMA1

Name: Infineon BSC036NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC036NE7NS3GATMA1

2.5KW 20V 3.8V 63.4NC@ 10V 1N 75V 3.6M¦¸@ 10V 100A 4.4NF@ 37.5V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BSC036NE7NS3GATMA1	5,948	1	Cut Tape	1.360	1.360	1.360	1.360	1.360
Future Electronics	2	BSC036NE7NS3GATMA1	5,000	5K	Tape & Reel					1.710
Arrow Electronics	3	BSC036NE7NS3GATMA1	10,018	1		2.950	2.001	1.412	1.270	1.270
Rochester Electronics		BSC036NE7NS3GATMA1	40,854					1.220	1.010	0.903	6h
DigiKey	3	BSC036NE7NS3GATMA1CT-ND	193	1	Cut Tape	3.160	2.049	1.414	1.098	1.098

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공급망

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-10-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSC036NE7NS3GATMA1에 대한 설명입니다.

2.5KW 20V 3.8V 63.4nC@ 10V 1N 75V 3.6m¦¸@ 10V 100A 4.4nF@ 37.5V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON T/R

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 159A I(D), 75V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, N-CH, 75V, 100A, TDSON-8

Newark

BSC036NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

DigiKey Marketplace

BSC036NE7NS3G INFINEON TDSON-8

IC Components Ltd.

MOSFET, N-CH, 75V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.1V;

element14 APAC

The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance.

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