Infineon BSC027N06LS5ATMA1

Name: Infineon BSC027N06LS5ATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC027N06LS5ATMA1

Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, Tdson Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC027N06LS5ATMA1

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BSC027N06LS5ATMA1	5,955	5	Cut Tape		1.870	1.300	1.170	1.170
Arrow Electronics		BSC027N06LS5ATMA1	810	1		1.031	0.922	0.830	0.768	0.768
Future Electronics	2	BSC027N06LS5ATMA1	10,000	5K	Tape & Reel					0.865
Rochester Electronics		BSC027N06LS5ATMA1	10,194					1.140	0.946	0.844	4h
DigiKey	3	BSC027N06LS5ATMA1CT-ND	75,477	1	Cut Tape	3.020	1.951	1.344	1.030	1.030

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공급망

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-09-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSC027N06LS5ATMA1에 대한 설명입니다.

Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, Tdson Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC027N06LS5ATMA1

Newark

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TDSON, Surface Mount

Avnet

Transistor MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R

Avnet Japan

OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

83W(Tc) 20V 2.3V@ 49¦ÌA 30nC@ 4.5V 1N 60V 2.7m¦¸@ 50A,10V 100A 4.4nF@30V TDSON-8

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 134A I(D), 60V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

FET Input Operational Amplifier

Weyland Electronics Group Pte. Ltd.

Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.

Infineon