EPC EPC2012C

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide...
$ 1.5

가격 및 재고

재고 내역

3개월간의 트렌드:
Restocked

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 EPC EPC2012C 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스이캐드엠캐드파일
SnapEDA
심벌풋프린트
다운로드
캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.
Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

관련 부품

InfineonIRF7820TRPBF
Single N-Channel 200 V 78 mOhm 44 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS2672
N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 200V, 3.9A, 70mΩ
onsemiFQD7P20TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -200 V, -5.7 A, 690 mΩ, DPAK
Single N-Channel 200 V 55 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 200 V, 5.5 A, 750 mΩ, DPAK
InfineonIRF7451TRPBF
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC

설명

유통업체에서 제공한 EPC EPC2012C에 대한 설명입니다.

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

제조업체 별칭

EPC에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. EPC는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • EPC Space LLC
  • EPC Space
  • EPC (VA)
  • EFFICIENT POWER CONVERSION
  • EPC Semiconductor