Diodes Inc. ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8 Series Dual N-Channel 60 V 0.12 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8
$ 0.407
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제조업체 페이지데이터시트

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DistributorSKUMinPkg
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ZXMN6A11DN8CT-ND151Cut Tape
TME
2
ZXMN6A11DN8TA4871
1d
NewarkZXMN6A11DN8TA01Cut Tape
AvnetZXMN6A11DN8TA0500
13h
Future ElectronicsZXMN6A11DN8TA0500Tape & Reel

데이터시트 및 문서

Diodes Inc. ZXMN6A11DN8TA에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Farnell

Datasheet6 페이지6년 전

IHS

Newark

TME

Diodes Inc SCT

재고 내역

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

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설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. ZXMN6A11DN8TA에 대한 설명입니다.

ZXMN6A11DN8 Series Dual N-Channel 60 V 0.12 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8
Future Electronics
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
Avnet
MOSFET, DUAL, N, 60V, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.2A; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Power Dissipation Pd:1.25W; Power Dissipation Pd:2.1W; Pulse Current Idm:13.7A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

이미지

TME
iiiC

제조업체 별칭

Diodes Inc.에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Diodes Inc.는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated