Diodes Inc. ZX5T849GTA

Name: Diodes Inc. ZX5T849GTA
Brand: Diodes Inc.
SKU: ZX5T849GTA

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

$ 0.5

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		ZX5T849GTA	1,000	1K					0.439	0.378	3d
Verical		ZX5T849GTA	1,000	1K					0.448	0.448
TME	2	ZX5T849GTA	0	1		2.080*	1.199*	0.865*	0.609*	0.554*	2d
Newark		ZX5T849GTA	0	1	Cut Tape	2.090	1.250	1.050	0.695	0.695
Arrow Electronics		ZX5T849GTA	0	1K					0.481	0.392

재고 내역

3개월 추세: +313%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Diodes Inc. ZX5T849GTA에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet6 페이지22년 전

Newark

Future Electronics

DigiKey

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+313%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Diodes Inc. ZX5T849GTA 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-11-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. ZX5T849GTA에 대한 설명입니다.

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

IHS

Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 30V 7A SOT-223

Win Source

ZX5T849G Series NPN 7 A 30 V SMT Silicon Low Saturation Transistor - SOT-223

Future Electronics

TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1.6W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:7A; Collector Emitter Voltage Vces:35mV; Continuous Collector Current Ic Max:7A; Current Ic @ Vce Sat:6.5A; Current Ic Continuous a Max:7A; Current Ic hFE:7mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:140MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.6W; Power Dissipation Ptot Max:3W; Pulsed Current Icm:20A; Resistance R1:28mohm; SMD Marking:X5T849; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:80V

element14 APAC