Diodes Inc. ZVNL120A

Name: Diodes Inc. ZVNL120A
Brand: Diodes Inc.
SKU: ZVNL120A

N-Channel 200 V 10 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET -TO-92

$ 0.416

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey		ZVNL120A-ND	1,778	1	Bulk	1.410	0.887	0.586	0.415	0.326
TME	2	ZVNL120A	2,140	1		1.251*	0.805*	0.532*	0.387*	0.373*	10h
RS (Formerly Allied Electronics)		ZVNL120A	0	5	Bulk		1.110	1.000	1.000	1.000	11h
Avnet		ZVNL120A	0	4K						0.250	2d
Arrow Electronics		ZVNL120A	0	4K						0.292

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Newark

Datasheet3 페이지19년 전

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1992-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. ZVNL120A에 대한 설명입니다.

N-Channel 200 V 10 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET -TO-92

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

Semicontronic

MOSFET, N, LOGIC, E-LINE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:700mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:180mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:ZVNL120A; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:1.27mm; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Ptot Max:700mW; Pulse Current Idm:2A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V

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