Diodes Inc. BSS138DW-7-F

Name: Diodes Inc. BSS138DW-7-F
Brand: Diodes Inc.
SKU: BSS138DW-7-F

Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363

$ 0.11

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	25R4429	27,290	1		0.426	0.274	0.182	0.142	0.142	3d
Newark	2	BSS138DW-7-F	109,246	1	Cut Tape	0.390	0.245	0.161	0.112	0.112
Future Electronics	3	BSS138DW-7-F	231,000	3K	Tape & Reel					0.055
RS (Formerly Allied Electronics)		BSS138DW-7-F	986	1	Bulk	0.050	0.050	0.050	0.050	0.050	2d
DigiKey	2	BSS138DW-FDICT-ND	149	1	Cut Tape	0.420	0.259	0.163	0.108	0.108

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Newark

Datasheet6 페이지4년 전

Diodes Inc SCT

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Mouser

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소스	이캐드	엠캐드	파일
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EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트	3D	다운로드
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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-02-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. BSS138DW-7-F에 대한 설명입니다.

Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 200mA 6-Pin SOT-363 T/R

Avnet Japan

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Verical

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-363 Polarity: N/N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 0.2 W

Distrelec

Mosfet, N Channel, Dual, 50V, 200Ma, Sot-363; Transistor, Polaridad:Canal N Dual; Intensidad Drenador Continua Id:200Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:50V; Resistencia De Activación Rds(On):3.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. BSS138DW-7-F

Newark