SHENGYU ELECTRONICS RAM

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36Mb £¨1M x 36£© 1 M x 36 2.375V 240mA 2.625V 250MHz Parallel QFP 20mm*14mm*1.4mm
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CY14B104LA Series 4 Mb (512 K × 8/256 K × 16) 3.6 V SMT nvSRAM - FBGA-48
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SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 1M x 16 10ns 48-Pin TSOP-I Tray
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DS1996 Series 6 V 1-Wire Smart Card Interface IC - Microcan-F5
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DS1245 Series 1024 kb (128 k x 8) 100ns Commercial Temp Non-Volatile SRAM DIP-32
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DS1220 Series 16 kb (2 k x 8) 120 ns Commercial Temp Non-Volatile SRAM - DIP-24
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256Kb £¨32K x 8£© 32Kx8 2.7V 3mA 3.6V 40MHz SPI 8bit SOIC-16 10.62mm*10.49mm*2.67mm
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SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
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CAD 모델
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 55ns 32-Pin TSOP-II Tray
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CAD 모델
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mbit Parallel 250 MHz 165-FBGA (13x15)
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