Wolfspeed C3M0280090D

Name: Wolfspeed C3M0280090D
Brand: Wolfspeed
SKU: C3M0280090D

Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

$ 2.683

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Distributor	SKU		Min
Verical	C3M0280090D	34	34			2.683	2.683	2.683
Richardson RFPD	C3M0280090D	連絡先	450						8h
Win Source	WS-C3M0280090D	50	10		5.964	4.617	4.617	4.617	2h
SHENGYU ELECTRONICS	C3M0280090D	5,819	1	4.061	3.980	3.860	3.740	3.570	2d
Anlinkda	C3M0280090D	1,206		5.320	4.765	4.332	4.267	4.201	9h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-03-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2025-04-01

LTD Date2025-10-01

Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)

説明

Wolfspeed C3M0280090Dの詳細は販売業者から提供されます。

Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

Wolfspeed

SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3 / N-Channel 900 V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 900V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD

IHS

MOSFET, N-CH, 900V, 11.5A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11.5A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 0.28oh; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

Mosfet, N-Ch, 900V, 11.5A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.5A; Drain Source Voltage Vds:900V; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:54W Rohs Compliant: Yes |WOLFSPEED C3M0280090D

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