WeEn Semiconductors WMSC016H12B1P6T

Name: WeEn Semiconductors WMSC016H12B1P6T
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: WMSC016H12B1P6T

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 85 A, 1.2 kV, 20 Milliohms, Module, 18 Pins

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Newark		WMSC016H12B1P6T	5	1	56.600	52.300	47.740	46.000	46.000
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Farnell		WMSC016H12B1P6T	130	1	47.088*	39.619*	37.384*	37.384*	37.384*	10h

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Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2024-02-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

WeEn Semiconductors WMSC016H12B1P6Tの詳細は販売業者から提供されます。

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 85 A, 1.2 kV, 20 Milliohms, Module, 18 Pins

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 85A, WEENPACKB1;

Farnell

Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 85A, Weenpackb1; Mosfet Module Configuration:Half Bridge; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:18Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Product Range:- |Ween Semiconductors WMSC016H12B1P6T

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