Vishay VS-GT250SA60S

Name: Vishay VS-GT250SA60S
Brand: Vishay
SKU: VS-GT250SA60S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 359A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

$ 29.936

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TTI Asia	VS-GT250SA60S	連絡先						24.220	24.220	2h
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IHS

Datasheet9ページ4年前

Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-08-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay VS-GT250SA60Sの詳細は販売業者から提供されます。

Insulated Gate Bipolar Transistor, 359A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Insulated Gate Bipolar Transistor, Ultralow VCE(on), 250 A

Future Electronics

晶体管, IGBT 模块, 600V, 359A, 750W, SOT-227;

element14 APAC

IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227

Easev

IGBT, SINGLE, 600V, 359A, SOT-227; Continuous Collector Current:359A; Collector Emitter Saturation Voltage:-; Power Dissipation:750W; Operating Temperature Max:175°C; IGBT Termination:Stud; Collector Emitter Voltage Max:600V RoHS Compliant: Yes

Newark