Vishay SQS420EN-T1_GE3

Name: Vishay SQS420EN-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: SQS420EN-T1_GE3

Mosfet Transistor, N Channel, 8 A, 20 V, 0.0235 Ohm, 4.5 V, 600 Mv

$ 0.494

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	SQS420EN-T1_GE3CT-ND	7,765	1	Cut Tape	1.640	1.036	0.690	0.494	0.494
TTI		SQS420EN-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0.415	10h
Newark	2	SQS420EN-T1_GE3	0	1	Cut Tape	1.430	1.360	1.360	1.360	1.360
Avnet	2	SQS420EN-T1_GE3	0	3K						0.359	1d
TTI Europe		SQS420EN-T1/GE3	0	3K	Tape & Reel					0.419*	1d

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-06-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-10-01

LTD Date2015-08-30

説明

Vishay SQS420EN-T1_GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Mosfet Transistor, N Channel, 8 A, 20 V, 0.0235 Ohm, 4.5 V, 600 Mv

Newark

18W(Tc) 8V 1.5V@ 250¦ÌA 14nC@ 4.5 V 1N 20V 28m¦¸@ 5A,4.5V 8A 490pF@10V 3.3mm*3.3mm*1.04mm

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

EBV Elektronik

N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 20V, 8A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0235ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV; Power Dissipation Pd:18W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited

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