価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SQ4949EY-T1_GE3 | 2,500 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SQ4949EY-T1_GE3CT-ND | 44,583 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQ4949EY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 1h | |||||||
| Avnet | SQ4949EY-T1_GE3 | 0 | 2500 | 3d | ||||||||
| TTI Europe | SQ4949EY-T1/GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 3h |
CADモデル
製造元 Vishay SQ4949EY-T1_GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Vishay SQ4949EY-T1_GE3の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
3.3W 20V 2.5V@ 250¦ÌA 30nC@ 10V 2P 30V 35m¦¸@ 5.9A,10V 7.5A 1.02nF@25V SOIC-8
AUTOMOTIVE DUAL P-CHANNEL 30 V (D-S) 175 DEGREE CELSIUS MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC N
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.3 W
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.75 mm