Vishay SIZ350DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ350DT-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIZ350DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V 6.75 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAIR 3 x 3

$ 0.59

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	742-SIZ350DT-T1-GE3CT-ND	11,552	1	Cut Tape	2.010	1.282	0.863	0.626	0.626
TME	2	SIZ350DT-T1-GE3	0	3K						0.821*	11h
TTI		SIZ350DT-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0.515	1d
Newark	2	SIZ350DT-T1-GE3	0	1	Cut Tape	1.720	1.090	0.729	0.524	0.524
Avnet		SIZ350DT-T1-GE3	0	6K						0.551	2d

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IHS

Datasheet10ページ7年前

element14 APAC

Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-01-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay SIZ350DT-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Dual N-Channel 30 V 6.75 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAIR 3 x 3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Verical

Dual N-Channel 30-V (D-S) Mosfet |Vishay SIZ350DT-T1-GE3

Newark

Vishay Siliconix NMOS TrenchFET, Vds=30 V, 30 A, PowerPAIR 3 x 3, , 8

UnikeyIC

DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Vishay

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.00675ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Vigor Components

MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 30A, POWERPAIR; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.00563ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage

Farnell