Vishay SISS42LDN-T1-GE3

Name: Vishay SISS42LDN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISS42LDN-T1-GE3

Transistor MOSFET N-CH 100V 39A 8-Pin PowerPAK 1212

$ 0.77

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SISS42LDN-T1-GE3	1,017	1	Cut Tape	2.680	1.810	1.300	1.080	1.080
DigiKey	3	SISS42LDN-T1-GE3CT-ND	13,328	1	Cut Tape	2.060	1.313	0.885	0.643	0.643
Onlinecomponents.com		SISS42LDN-T1-GE3	2,975	136	Bulk				0.810	0.750
TTI		SISS42LDN-T1-GE3	3,000	3K	Tape & Reel					0.476	11h
TME	2	SISS42LDN-T1-GE3	0	1		1.790	1.210	0.810	0.770	0.770	22h

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IHS

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Future Electronics

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説明

Vishay SISS42LDN-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N-CH 100V 39A 8-Pin PowerPAK 1212

Avnet Japan

VISHAY - SISS42LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 39A, 150DEG C, 57W

Jak Electronics

Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 100V, 0.0149ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Vishay NMOS, Vds=100 V, 11.3 A, PowerPAK 1212-8S

UnikeyIC

MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK

Vigor Components

MOSFET, N-CH, 100V, 39A, 150DEG C, 57W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 39A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0122ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs:

Farnell

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 39 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 14.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 7 / Rise Time ns = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 25 / Turn-ON Delay Time ns = 21 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8S / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 57

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