Vishay SISH615ADN-T1-GE3

Name: Vishay SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISH615ADN-T1-GE3

Transistor MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212

$ 0.339

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SISH615ADN-T1-GE3	20	1	Cut Tape	1.530	0.984	0.688	0.628	0.628
Arrow Electronics		SISH615ADN-T1-GE3	3,000	1		0.812	0.564	0.375	0.257	0.224
Verical		SISH615ADN-T1-GE3	3,000	27				0.375	0.257	0.224
DigiKey	3	SISH615ADN-T1-GE3CT-ND	39,539	1	Cut Tape	1.180	0.737	0.483	0.338	0.338
TME	2	SISH615ADN-T1-GE3	0	1		1.206*	0.834*	0.507*	0.445*	0.445*	11h

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IHS

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-09-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay SISH615ADN-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212

Avnet Japan

3.7W(Ta),52W(Tc) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 183nC@ 10 V 1P 20V 4.4m¦¸@ 20A,10V 35A 5.59nF@10V PPAK-1212-8

UnikeyIC

MOSFET Devices; VISHAY; SISH615ADN-T1-GE3; 3.5 mOhm

Maritex

MOSFET -20V Vds; 12V Vgs PowerPAK 1212-8SH

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK / P-Channel 20 V 22.1A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH

Win Source

MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK

Vigor Components

MOSFET, P-CH, 20V, 35A, POWERPAK 1212; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:35A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.5V RoHS Compliant: Yes

Newark