価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SIS476DN-T1-GE3 | 3,000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | SIS476DN-T1-GE3 | 3,000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SIS476DN-T1-GE3CT-ND | 7,691 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIS476DN-T1-GE3 | 15,000 | 3K | Tape & Reel | 11h | |||||||
| TME | SIS476DN-T1-GE3 | 0 | 1 | 5h |
CADモデル
製造元 Vishay SIS476DN-T1-GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
VishaySISA04DN-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cu
VishaySIRA04DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
InfineonIRLHM630TRPBF
INFINEON IRLHM630TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
説明
Vishay SIS476DN-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;40A;2.5MOHM @ 10V;POWERPAK 1212-8
N-Ch Powerpak1212-8 Bwl 30V Gen4 2.5/3.5 Mohm@10V/4.5V Rohs Compliant: Yes
30V 40A 52W 2.5m´Î@10V15A 2.3V@250Ã×A N Channel PowerPAK-1212-8 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
N-Ch PowerPAK1212 BWL 1G SG 30V 2.5mohm@
RS APAC
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.595 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2.5 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.4 mm
Width3.4 mm