Vishay SIS126DN-T1-GE3

Name: Vishay SIS126DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIS126DN-T1-GE3

Single N-Channel 80 V 10.2 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

$ 0.551

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SIS126DN-T1-GE3	6,491	1	Cut Tape	2.070	1.380	0.990	0.822	0.822
DigiKey	3	SIS126DN-T1-GE3CT-ND	6,443	1	Cut Tape	1.690	1.070	0.713	0.512	0.512
TME	2	SIS126DN-T1-GE3	0	1		1.550	0.977	0.651	0.590	0.590	19h
TTI		SIS126DN-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0.418	22h
Avnet		SIS126DN-T1-GE3	0	6K						0.433	2d

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-02-07

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay SIS126DN-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 80 V 10.2 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

Future Electronics

Transistor MOSFET N-CH 80V 45.1A 8-Pin PowerPAK 1212

Avnet Japan

Mosfet, N-Ch, 80V, 45.1A, Powerpak 1212; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:45.1A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SIS126DN-T1-GE3

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 45.1 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 80 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 9.7 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 6 / Rise Time ns = 6 / Turn-OFF Delay Time ns = 15 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 52

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