CADモデル
製造元 Vishay SIR5607DP-T1-RE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2023-05-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
説明
Vishay SIR5607DP-T1-RE3の詳細は販売業者から提供されます。
6.25W(Ta),104W(Tc) 2.6V@ 250¦ÌA 112nC@ 10 V 1P 60V 7m¦¸@ 20A,10V 90.9A 5.02nF@30V SOIC-8
MOSFET, P-CH, 60V, 90.9A, POWERPAK SO-8S ROHS COMPLIANT: YES
P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 90.9A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CH SINGLE -40V PPAK SO-8
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)90.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height1.12 mm