価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIR404DP-T1-GE3 | 2,118 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SIR404DP-T1-GE3CT-ND | 9,811 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIR404DP-T1-GE3 | 3,000 | 3K | Tape & Reel | 14h | |||||||
| TME | SIR404DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 5h | ||||||||
| Future Electronics | SIR404DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Vishay SIR404DP-T1-GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
VishaySI4136DY-T1-GE3
Prices include import duty and tax. MOSFET Transistor, N Channel, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V;
InfineonBSZ013NE2LS5IATMA1
Mosfet, N-Ch, 25V, 150Deg C, 69W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1
説明
Vishay SIR404DP-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Single N-Channel 20 V 0.00225 Ohm 97 nC 6.25 W Silicon SMT Mosfet POWERPAK-SO-8
Power Field-Effect Transistor, 45.6A I(D), 20V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
6.25W(Ta),104W(Tc) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 97nC@ 4.5 V 1N 20V 1.6m¦¸@ 20A,10V 60A 8.13nF@10V 6.15mm*5.15mm*1.04mm
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:45.6A; On Resistance Rds(On):0.0013Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V Rohs Compliant: Yes
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)45.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance1.75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance8.13 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time123 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length6.15 mm
Width5.15 mm