価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIR170DP-T1-RE3 | 159 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SIR170DP-T1-RE3CT-ND | 7,114 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR170DP-T1-RE3 | 0 | 3K | 14h | ||||||||
| TTI | SIR170DP-T1-RE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 3h | |||||||
| Avnet | SIR170DP-T1-RE3 | 0 | 6K | 3h |
CADモデル
製造元 Vishay SIR170DP-T1-RE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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説明
Vishay SIR170DP-T1-RE3の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 100-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SIR170DP-T1-RE3
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 140nC@ 10 V 1N 100V 4.8m¦¸@ 20A,10V 23.2A,95A 6.195nF@50V
Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP
Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 95A, 150度 C, 104W;
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK / N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)95 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.12 mm