Vishay SIHG11N80E-GE3

Name: Vishay SIHG11N80E-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHG11N80E-GE3

Transistor MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin TO-247AC

$ 2.26

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
TTI		SIHG11N80E-GE3	450	50	Tube			1.870	1.820	1.730	2h
TME	2	SIHG11N80E-GE3	0	1		5.510	4.830	4.110	4.110	4.110	21h
Newark		SIHG11N80E-GE3	0	1		6.780	4.800	4.080	3.950	3.950
Avnet		SIHG11N80E-GE3	0	500					1.813	1.734	1d
Arrow Electronics		SIHG11N80E-GE3	0	500					2.188	2.060

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Vishay SIHG11N80E-GE3のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ5年前

在庫履歴

3か月間の傾向:

+0.00%

Powered by

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-07-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay SIHG11N80E-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin TO-247AC

Avnet Japan

179W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 88nC@ 10 V 1N 800V 440m¦¸@ 5.5A,10V 12A 1.67nF@100V TO-247AC

Unikeyic (ICkey)

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

IHS

Mosfet, N-Ch, 800V, 12A, 150Deg C, 179W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):0.38Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG11N80E-GE3

Newark