Vishay SIDR668DP-T1-GE3

Name: Vishay SIDR668DP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIDR668DP-T1-GE3

Single N-Channel 100 V 4.8 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8DC

$ 1.71

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical		SIDR668DP-T1-GE3	6,000	6K						2.187
Arrow Electronics		SIDR668DP-T1-GE3	6,000	6K						0.631
Future Electronics		SIDR668DP-T1-GE3	6,000	3K	Tape & Reel					2.490
DigiKey	3	SIDR668DP-T1-GE3CT-ND	8,858	1	Cut Tape	4.380	2.877	2.025	1.708	1.708
TTI		SIDR668DP-T1-GE3	12,000	3K	Tape & Reel					1.190	3h

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IHS

Datasheet9ページ5年前

Future Electronics

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説明

Vishay SIDR668DP-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 100 V 4.8 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8DC

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R

Verical

6.25W(Ta),125W(Tc) 20V 3.4V@ 250¦ÌA 108nC@ 10 V 1N 100V 4.8m¦¸@ 20A,10V 23.2A,95A 5.4nF@50V SOIC-8

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

Vigor Components

Mosfet, N-Ch, 100V, 95A, 150Deg C, 125W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:95A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.004Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SIDR668DP-T1-GE3

Newark