SIDR570EP-T1-RE3 by Vishay

Vishay SIDR570EP-T1-RE3

Mosfet, N-Ch, 150V, 90.9A, Powerpak So-8 Rohs Compliant: Yes |Vishay SIDR570EP-T1-RE3

$ 1.83

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	Newark		SIDR570EP-T1-RE3	5,655	1	Cut Tape	4.800	3.470	2.640	2.470	2.470
	DigiKey	3	742-SIDR570EP-T1-RE3CT-ND	5,960	1	Cut Tape	4.600	3.035	2.143	1.830	1.830
	TME	2	SIDR570EP-T1-RE3	0	3K						2.080	22h
	TTI		SIDR570EP-T1-RE3	0	6K						1.500	3h
	Future Electronics		SIDR570EP-T1-RE3	0	3K	Tape & Reel					2.660

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IHS

Datasheet9ページ2年前

Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-12-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay SIDR570EP-T1-RE3の詳細は販売業者から提供されます。

Mosfet, N-Ch, 150V, 90.9A, Powerpak So-8 Rohs Compliant: Yes |Vishay SIDR570EP-T1-RE3

Transistor MOSFET N-Channel 150V 90.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R

SIDR570EP Series 150 V 7.5W SMT N-Channel Power MOSFET - PowerPAK SO-8DC

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 90.9A I(D), 150V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET

N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET

Trans MOSFET N-CH 150V 30.8A T/R

NMOS, Vds=150 V, 90.9 A, PowerPak SO-8DC, , 8

画像

メーカーの別名

Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：

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技術仕様

Physical

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)90.9 A

Drain to Source Resistance8.5 mΩ

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation150 W

Min Breakdown Voltage150 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

データシート & ドキュメント

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Datasheet9ページ2年前

Future Electronics

コンプライアンス

環境分類

RoHSCompliant

準拠ステートメント

Rohs Statement5ページ14年前