価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIA817EDJ-T1-GE3 | 2,877 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND | 7,647 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIA817EDJ-T1-GE3 | 6,000 | 3K | Tape & Reel | 11h | |||||||
| TME | SIA817EDJ-T1-GE3 | 0 | 3K | 7h | ||||||||
| Future Electronics | SIA817EDJ-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Vishay SIA817EDJ-T1-GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
関連部品
NXP SemiconductorsPMN49EN,135
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMN3065LW-7
Mosfet Bvdss: 25V~30V Sot323 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3065LW-7
VishaySIA929DJ-T1-GE3
Dual P-Channel 30 V 0.12 Ohm 10 nC 1.9 W Silicon SMT Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
説明
Vishay SIA817EDJ-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。
30V 4.5A 65m´Î@10V3A 6.5W 1.3V@250Ã×A P Channel PowerPAK SC-70-6 MOSFETs ROHS
MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance600 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation6.5 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns