価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI7252ADP-T1-GE3 | 6,000 | 3K | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | SI7252ADP-T1-GE3 | 4,457 | 1 | |||||||||
| Verical | SI7252ADP-T1-GE3 | 3,957 | 9 | |||||||||
| DigiKey | 742-SI7252ADP-T1-GE3CT-ND | 4,095 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7252ADP-T1-GE3 | 3,000 | 3K | Tape & Reel | 23h |
CADモデル
製造元 Vishay SI7252ADP-T1-GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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説明
Vishay SI7252ADP-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。
Dual N-Channel 100-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SI7252ADP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Vishay NMOS TrenchFET, Vds=100 V, 13.1 A, PowerPak 1212-8 , , 8
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.0225ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL MOSFET, N-CH/100V/28.7A/POWERPAK SO;
DUAL, 100V, 28A,18.6MoHM QFN5X6
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE / Mosfet Array 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance22.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33.8 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-DUAL
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3.6 W
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.12 mm