SI4401FDY-T1-GE3 by Vishay

Vishay SI4401FDY-T1-GE3

2.5W(Ta), 5W(Tc) 20V 2.3V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1P 40V 14.2m¦¸@ 10A, 10V 9.9A, 14A 4nF@20V SOIC-8

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	Avnet	3	26AK9922	1,970	1		1.710	1.070	0.695	0.695	0.695	1d
	Newark	3	SI4401FDY-T1-GE3	45,626	1	Cut Tape	1.840	1.160	0.900	0.900	0.900
	Arrow Electronics		SI4401FDY-T1-GE3	5,000	2500						0.454
	Verical	2	SI4401FDY-T1-GE3	5,000	2500						0.390
	Rutronik		TMOS3039	2,500	2500						0.360	22h

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サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay SI4401FDY-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.3V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1P 40V 14.2m¦¸@ 10A,10V 9.9A,14A 4nF@20V SOIC-8

Unikeyic (ICkey)

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Surface Mount

P-Channel 40-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SI4401FDY-T1-GE3

Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

画像

Future Electronics

メーカーの別名

Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：

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技術仕様

Physical

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)14 A

Drain to Source Breakdown Voltage-40 V

Drain to Source Resistance18.3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation5 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time44 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Dimensions

Height1.75 mm

データシート & ドキュメント

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Datasheet9ページ2年前

IHS

element14 APAC

TME

Future Electronics

コンプライアンス

環境分類

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

準拠ステートメント

Rohs Statement5ページ14年前