価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI4058DY-T1-GE3 | 2,547 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI4058DY-T1-GE3 | 2,500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI4058DY-T1-GE3 | 2,500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | SI4058DY-T1-GE3CT-ND | 14,727 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI4058DY-T1-GE3 | 5,000 | 2500 | Tape & Reel | 19h |
CADモデル
製造元 Vishay SI4058DY-T1-GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
説明
Vishay SI4058DY-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, N-Ch, 100V, 10.3A, Soic Rohs Compliant: Yes |Vishay SI4058DY-T1-GE3
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 10.3A, SOIC;
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Field Effect Tube (MOSFET)
N-CH SINGLE 100V SO-8
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.6 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.6 W
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.75 mm