Vishay SI2367DS-T1-GE3

Name: Vishay SI2367DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3 P-channel Mosfet Transistor, 2.2 A, 20 V, 3-PIN TO-236

$ 0.191

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SI2367DS-T1-GE3	128	5	Cut Tape		0.421	0.271	0.244	0.244
Arrow Electronics		SI2367DS-T1-GE3	34	1		0.550	0.373	0.373	0.373	0.373
Verical		SI2367DS-T1-GE3	34	14				0.252	0.169	0.113
DigiKey	3	SI2367DS-T1-GE3CT-ND	143,721	1	Cut Tape	0.710	0.438	0.281	0.191	0.191
TME	2	SI2367DS-T1-GE3	0	1		0.644	0.438	0.270	0.176	0.145	12h

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Newark

_legacy Avnet

Future Electronics

TME

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Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

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サプライチェーン

Country of OriginUSA

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-09-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

説明

Vishay SI2367DS-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

SI2367DS-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.2 A, 20 V, 3-PIN TO-236

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET Devices; VISHAY; SI2367DS-T1-GE3; -20 V; 8 V; 960 mW; 35 ns

Maritex

Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Vishay PMOS, Vds=20 V, 2.2 A, SOT-23, , 3

UnikeyIC

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

IHS

MOSFET, P-CH, 20V, 3.8A, TO-236;

Farnell

P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.8A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):66mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV; No. of Pins:3

element14 APAC