IRFZ44STRLPBF by Vishay

Vishay IRFZ44STRLPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

$ 1.28

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	DigiKey	2	742-IRFZ44STRLPBFCT-ND	48	1	Cut Tape	3.730	2.434	1.697	1.697	1.697
	TME	2	IRFZ44STRLPBF	0	800					1.093*	1.093*	12h
	TTI		IRFZ44STRLPBF	0	800	Tape & Reel				1.280	1.280	3h
	Newark		IRFZ44STRLPBF	0	800	Tape & Reel				1.770	1.600
	Future Electronics		IRFZ44STRLPBF	0	800	Tape & Reel				1.200	1.170

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1993-09-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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説明

Vishay IRFZ44STRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Single N-Channel 60 V 50 A 3.7 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3

Future Electronics

3.7W(Ta),150W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 67nC@ 10 V 1N 60V 28m¦¸@ 31A,10V 50A 1.9nF@25V D2PAK,TO-263 10.67mm*9.65mm*4.83mm

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

画像

Future Electronics

メーカーの別名

Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-263-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.437803 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)50 A

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance28 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time92 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.9 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation3.7 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation3.7 W

Rds On Max28 mΩ

Rise Time110 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time45 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Dimensions

Height4.83 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm

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コンプライアンス

環境分類

China RoHSNon-Compliant

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

準拠ステートメント

Rohs Statement5ページ14年前