CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2015-11-20
LTD Date2016-05-20
説明
Vishay IRFPE50の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=1.2ohm, Id=7.8A) | MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
800V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A TO-247AC <AZ
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.8A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:190W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:5.45mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:180W; Power Dissipation Pd:190W; Pulse Current Idm:32.4A
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Current Rating7.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time38 ns
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
コンプライアンス
環境分類
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
準拠ステートメント