IRFPE30PBF by Vishay

Vishay IRFPE30PBF

N-Channel 800 V 3 Ohm 4.1 A 125 W Through Hole Power MOSFET - TO-247AC

$ 2.095

Production

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	Arrow Electronics	2	IRFPE30PBF	345	1		3.603	3.026	2.581	2.581	2.581
	Verical	3	IRFPE30PBF	204	3			0.677	0.677	0.677	0.677
	DigiKey		742-IRFPE30PBF-ND	380	1	Tube	6.750	4.533	3.277	2.570	2.500
	TME	2	IRFPE30PBF	0	1		3.000	2.340	1.960	1.730	1.650	7h
	TTI		IRFPE30PBF	0	500	Tube				2.500	2.500	11h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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説明

Vishay IRFPE30PBFの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel 800 V 3 Ohm 4.1 A 125 W Through Hole Power MOSFET - TO-247AC

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

Vishay NMOS, Vds=800 V, 4.1 A, TO-247AC, , 3

NCHAN, TO-247AC, 800V IRFPE30PBF

画像

DKO Electronshik

RS (Formerly Allied Electronics)

メーカーの別名

Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-247-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight38.000013 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)4.1 A

Drain to Source Breakdown Voltage800 V

Drain to Source Resistance3 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)800 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time30 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.3 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation125 W

Min Breakdown Voltage800 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation125 W

Rds On Max3 Ω

Rise Time33 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time82 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Dimensions

Height20.7 mm

Length15.87 mm

Width5.31 mm

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コンプライアンス

環境分類

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

準拠ステートメント

Rohs Statement5ページ14年前