CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-07-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
関連部品
InfineonBSP296NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.2 A, 600 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
説明
Vishay IRFL9110PBFの詳細は販売業者から提供されます。
IRFL9110PBF P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.1 A, 100 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: P Power dissipation: 2 W
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
MOSFET, P, -100V, -1.1A, SOT-223; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.1A; Drain Source Voltage Vds: -100V; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -4V; P
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight250.212891 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time27 ns
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.45 mm
Length6.7 mm