CADモデル
製造元 Vishay IRFIB7N50APBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP9NK50ZFP
STP9NK50ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN TO-220FP
説明
Vishay IRFIB7N50APBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 500 V 520 mOhms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 500V, RDS(ON) 0.52OHM, ID 6.6A, TO-220 FULL-PAK, PD 60W
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 500V, 6.6A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.6A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.52ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance520 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.423 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation60 W
Rds On Max520 mΩ
Resistance520 MΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm