Vishay IRFD9110PBF

Name: Vishay IRFD9110PBF
Brand: Vishay
SKU: IRFD9110PBF

Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Obsolete

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1993-09-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-06-30

LTD Date2008-09-30

説明

Vishay IRFD9110PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Future Electronics

Transistor MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP

North Star Micro

MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP | Siliconix / Vishay IRFD9110PBF

RS (Formerly Allied Electronics)

POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

P Channel Mosfet, -100V, 700Ma Hd-1; Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:700Ma; On Resistance Rds(On):1.2Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: No

Newark

MOSFET, P, DIL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; Current Id Max:-700mA; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:5.6A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

element14 APAC